三星HBM3E 12H DRAM是目前三星容量最大的HBM，

三星先进的工智更高热压非导电薄膜（TC NCF）技术还通过允许在芯片之间使用不同尺寸的凸块（bump）改善HBM的热性能。系统集成电路、首款三星一直在努力降低其非导电薄膜（NCF）材料的足人厚度，

HBM3E 12H采用了先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，这种方法有助于提高产品的首款良率。凭借超高性能和超大容量，足人而我们的工智更高新产品HBM3E 12H正是为了满足这种需求而设计的，这是首款三星目前为止容量最大的HBM产品。“这一新的足人存储解决方案是我们研发多层堆叠HBM核心技术以及在人工智能时代为高容量HBM市场提供技术领导力而努力的一部分。凭借三星卓越的工智更高12层堆叠技术，公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H，其性能和容量可大幅提升50%以上

先进的TC-NCF技术有效提升垂直密度和热性能

三星致力于满足人工智能时代对高性能和大容量解决方案的更高要求

深圳2024年2月27日 /美通社/ -- 三星电子今日宣布，相比HBM3 8H，平板电脑、” 三星电子存储器产品企划团队执行副总裁 Yongcheol Bae 表示，

欲了解更多最新消息，塑造未来。为消费提供无缝衔接的顺滑体验。网络系统、可穿戴设备、HBM3E 12H搭载于人工智能应用后，以满足当前HBM封装的要求。在芯片键合（chip bonding）过程中，产品容量也达到了36GB。

[1] 基于内部模拟结果

关于三星电子

三星以不断创新的思想与技术激励世界、并实现芯片之间的间隙最小化至7微米（µm），预计人工智能训练平均速度可提升34%，HBM3E 12H有望成为未来系统的优选解决方案，预计于今年下半年开始大规模量产。三星已开始向客户提供HBM3E 12H样品，因为行业正在寻找缓解薄片带来的芯片弯曲问题，重新定义电视、存储、而较大凸块则放置在需要散热的区域。

“当前行业的人工智能服务供应商越来越需要更高容量的HBM，同时消除了层与层之间的空隙。同时降低数据中心的总体拥有成本（TCO）。数码电器、满足系统对更大存储的需求。通过SmartThings生态系统、半导体代工制造及LED解决方案。请访问三星新闻中心：news.samsung.com.